(Pdf) 250 Bài Tập Diode Có Lời Giải, 250 Bai Tap_Kt_Dien_Tu_0295

Đang xem: Bài tập diode có lời giải

Share Like Download …
3 Comments 34 Likes Statistics Notes

Xem thêm: Mẫu Giấy Giới Thiệu Đoàn Viên Học Cảm Tình Đảng Mẫu 3, Biên Bản Đề Nghị Cử Đv Đi Học Cảm Tình Đảng

12 hours ago   Delete Reply Block

Xem thêm: Bài Tập Xác Suất Thống Kê Y Học Có Lời Giải, Hướng Dẫn Giải Bài Tập Xác Suất

250 bai tap_kt_dien_tu_0295

1. NGUYỄN THANH TRÀ – THÁI VĨNH HIỂN 250 BÀI TẬP KVTHUỘTĐIỈN TỬ NHÀ XUẤT BẢN GIÁO DỤC VIỆT NAM 2. Chưởng 1 ĐIỐT 1.1. TÓM TẮT PHẦN LÝ THUYẾT Hiệu ứng chỉnh lưu của điốt bán dẫn là tính dẫn điện không đối xứng. Khi điốt được phân cực thuận, điện trở tiếp giáp thường rất bé. Khi điốt được phân cực ngược điện trở tiếp giáp thưcmg rất lớn. Khi điện áp ngược đặt vào đủ lớn điốt bị đánh thủng và mất đi tính chỉnh lưu của nó. Trên thực tế tồn tại hai phưofng thức đánh thủng đối với điốt bán dẫn. Phưcíng thức thứ nhất gọi là đánh thủng tạm thời (zener). Phương thức thứ hai gọi là đánh thủng về nhiệt hay đánh thủng thác lũ. Người ta sử dụng phương thức đánh thủng tạm thời để làm điốt ổn áp. Phương trình cơ bản xác định dòng điện Idchảy qua điốt được viết nhưsau: ~^DS enu.. (1-1) ở đây: – = — , là thế nhiệt; q – k = 1,38.10"^^ — , hằng số Boltzman; K – q = 1,6.10 '’c, điện tích của electron; – n = 1 đối vói Ge và n = 2 đối với Si; – T nhiệt độ môi trường tính theo độ K. Từ phương trình (1-1) người ta xây dựng được đặc tuyến Volt-Ampe = f(Uj3) cho điốt và dùng nó đé iính toán các thông số có liên quan đối với các mạch điện dùng điốt. úhg dụng quan trọng của điốt là: a) Chỉnh lưu dòng điện xoay chiều thành một chiều nhờ các sơ đồ cơ bản sử dụng các loại điốt khác nhau (điốt có điều khiển và điốt không điều khiển). 3. b) Hạn chế biên độ điện áp ờ một giá trị ngưỡng cho trước. c) Ổn định giá trị điện áp một chiều ở một ngưỡng xác lập Uz nhờ đánh thủng tạm thời (zener). Mô hình gần đúng để mô tả điốt trong các mạch điện được xem như: a) Là một nguồn điện áp lý tưởng có nội trở bằng không khi điốt chuyển từ trạng thái khoá sang mở tại mức điện áp U^K= Up. b) Là một nguồn dòng lý tưởng có nội trở rất lớn khi điốt chuyển từ trạng thái mở sang khoá tại mức điện áp = oV c) ở chế độ xoay chiều khi tần số tín hiệu còn đủ thấp, điốt sẽ tưcmg đương như một điện trở xoay chiều được xác định theo biểu thức (1-2) dưới đây: ( 1-2) Còn khi' tần số tín hiệu đủ cao, cần chú ý tới giá trị điện dung ký sinh của điốt Cd, nó được mắc song song với điện trở xoay chiều r^. 1.2. BÀJ TẬP CÓ LỜI GIẢI Bài tập 1-1. Xác định giá trị thế nhiệt (U-r) của điốt bán dẫn trong điều kiện nhiệt độ môi trường 20°c. Bài giải Từ biểu thức cơ bản dùng để xác định thế nhiệt u ,= iĩ q Trong đó: – k = 1,38.10'^^ — , hằng số Boltzman; K – q = 1 , 6 . điện tích của electron; – T nhiệt độ môi trường tính theo độ K. Tĩiay các đại lượng tưcíng ứng vào biểu thức ta có: U, = ^ = ^ M . 2 5 . 2 7 , n V ^ q 1,6.10"'’ 4. Bài tập 1-2. Xác định điện trở một chiều Rj3của điốt chỉnh lưu với đặc tuyến V-A cho trên hình 1-1 tại các giá trị dòng điện và điện áp sau: = 2mA Uo = -10V. Bài giải a) Trên đặc tuyến V-A của điốt đã cho tại Iß = 2mA ta có: Ud= 0,5V nên: K = — = u.. 0,5 Id 2.10 -3 = 250Q b) Tương tự tại Uq= -lOV Ta có Id= l|iA nên; 10 R„ Hinh 1-1 = 10MQ. tập 1-3. Xác định điện trở xoay chiều của điốt chỉnh lưu với đặc tuyến V-A cho trên hình 1-2. a) Với Id= 2mA b) Với Id= 25mA. Bài giải a) Với Ij) = 2mA, kẻ tiếp tuyến tại điểm cắt với đặc tuyến V-A trên hình 1-2 'a sẽ có các giá trị Ij3và Up tương ứng để xác định AUß và AIp như sau: ỉ„ = 4niA; U^ = 0,76V ẩ In(mA) Ip = OrnA; ưp = 0,65V AIp = 4m A – OmA = 4m A AUd = 0 ,7 6 V -0 ,6 5 V = 0,11V Vậy: " AI„ 4.10-’ 30 25 20 10 AI. AI, u (v; —► 0 0,2 0,4 0,60,7 0,8 1,0 Hinh 1-2 5. b) Với Id = 25mA. Các bước tương tự như câu a) ta xác định được các đại lượng tương ứng dưới đây: Id= 30mA; ƯD= 0,8V Id= 20mA; Ud= 0,78V AIjj = 30 – 20 = lOmA Aưd = 0,8 – 0,78 = 0,02V V â y , = ^ =^ =2«. AI„ 10.10'' 04 ) Bài tập 1-4. Cho đặc tuyến V-A của một điốt như trên hình 1-2. Xác định điện trở một chiều tại hai giá trị dòng điện. a) Ij5= 2mA. b) Iq = 25mA và so sánh chúng với giá trị điện trở xoay chiều trong bài tập 1-3. Bài giải Từ đặc tuyến V-A trên hình 1-2 ta có các giá trị tưoìig ứng sau; a) Id = 2mA; ƯD= 0,7V Nên: R . = ^ = – ^ = 3 5 0 Q AL 2.10 so với = 27,5Q. b) Id = 25mA; ƯD = 0,79V Nên: R ,= ^ = – ^ ^ = 3 1 ,6 2 Q '* AL 25.10"' so với = 2 Q. Bài tập 1-5. Cho mạch điện dùng điốí như hình l-3a và đặc tuyến V-A của điốt như trên hình l-3b. a) Xác định toạ độ điểm công tác tĩnh Q<Ư£)o; liX)>– b) Xác định giá ừị điện áp trên tải Ur. Bài giải a) Theo định luật Kirchoff về điện áp vòng ta có: 8 6. uD R. IkQ u. a) Hình 1-3 E -u„-u, = 0 hay E = Uo + ư, Đây chính là phưcrtig trìnhđườna tải mội chiều củci mạch diện dùng điỏì trên. Dựng đường tải một chiều thông qua hai điểm cắl trên trục lung với U|) = ov và trên trục hoành với Ip = 0. Tại ưp = 0 ta có E = 0 + IpR, Nên: ĨD=- E lOV R 10'o = 10mA Tại I|J= 0 la có lì = U|J + (OA).R, Up = E| -lOV Ịíi)■<’ Đường tải rnột chiều (R_) được dựng như trên hình 1-4. Đường tải một chiều (R_) cắt đặc tuyến (V-A) tại đicm công tác tĩnh Qflix> UdoIvới toạ độ tưcmg ứng: I<)0 = 9,25m A Upo = 0,78V b) Điện áp rơi trên tải R, sẽ là: 7. u„ =I„.R, =I„,.R, =9,25.10-M0’=9,25V Hoặc Ur, c ó thể được tính: Ur, = E -U do= 10-0,78 = 9,22V Sự khác nhau trong hai kết quả trên do sai số khi xác định theo đồ thi biểu diễn đặc tuyến V-A đối với điốt trên hình 1-3 và hình 1-4. Bài tập 1-6. Tính toán lặp lại như bài tập 1-5 với R, = 2kQ. Bài giải a) Từ biểu thức: E lOV R 2kQ = 5mA U^ = E = 10V Đường tải một chiều (R_) được dimg như trên hình 1-5 và ta được toạ độ điểm Q Bài tập 1-7. Tính toán lặp lại cho bài tập 1-5 bằng cách tuyến tính hoá đặc tuyến Volt-Ampe cho trên hình l-3b và điốt loại Si. Bài giải Với việc tuyến tính hoá đặc tuyến V-A của điốt trên ta vẽ lại đặc tuyến đó như trên hình 1-6. 10 8. Dựng đường tải một chiều (R_) cho mạch tương tự như trong câu a) của bài tập 1-5 và được biểu diễn trên hình 1-6. Đường tải một chiều đặc tuyến V-A tại Q với toạ độ tưoíng ứng. Ido= 9,25mA U do = 0,7V. Hình 1-6 ( 8 j Bài tập 1-8. Tính toán lặp lại cho bài tập 1-6 bằng cách tuyến tính hoá đặc tuyến V-A cho trên hình l-3b và điốt loại Si. Bài giải Với việc tuyến tính hoá đặc tuyến V-A của điốt trên ta vẽ lại đặc tuyến đó như trên hình 1-7. Dựng đưòng tải một chiều (R_) cho mạch tương tự như trong câu a) của bài tập 1-6 và được biểu diễn trên hình 1-7. Đường tải một chiều (R_) cắt đặc tuyến V-A tại Q. Với toạ độ tương ứng: Ido~ 4,6rnA = 0,7V. Bài tập 1-9. Tính toán lặp lại cho bài tập 1-5 bằng cách lý tưởng hoá đặc tuyến V-A cho trên hình l-3b và điốt loại Si. Bài giải Với việc lý tưcmg hoá đặc tuyến V-A của điốt, ta có nhánh thuận của đặc tuyến trùng với trục tung (Ip), còn nhánh ngược trùng với trục hoành (Ud) như trên hình 1-8. Hình 1-7 11 9. Dựng dưòng lải một chicu (R_) cho mạch tương tự như Irong câu a) của bài lập 1-5. Đường tải một chiều cắt đặc tuyến V-A tại điểm Q với toạ độ tưcyng ứng: ỉno = iOmA U,K, = OV. Đường tải một chiều (R_) được biểu diễn nhưtrên hình 1-8. Bài tập 1-10. Cho mạch điện dùng điốt loại Si như hình i-9. Xác định các giá trị điện áp và dòng điện Uq. U|(, I|y Bài giải Biết rằng để điốt loại Si làm việc bình thường ngưỡng thông nằm trong khoảng lừ 0.5V -r 1,25V. Chọn ngưỡng ìàm việq cho điốt: U„ = 0,7V; E = 8V. Điện áp rơi trên điện irở tải R sẽ là: U, = E-Up = 8-0,7 = 7,3V Hình 1-9 Dòng điện chảy qua điốt I|) = 1,;, (dòng qua tái R) sẽ ỉà: Id= Iu = -'= ^ = -^ ^ = 3.32mA " ' R 2,2.10' Bài tập 1-11. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-10. Xác định điện áp ra trên tải ư„ và dòng điện Idqua các điốt Dị, Dj. Bài giải Chọn ngưỡng điện áp thông cho hai điốt D| và D, lương ứng. =0,7V dối vớiđiốtSi 12 10. =0,3V đối với điốt Ge. Điện áp ra trên tải sẽ là: = 12-0,7-0,3= liv. Dòng điện qua các điốt D|, Ip Dj Si D, Ge E . L + 12V u 5,6kQ ra và E sẽ là: r r 11 Hình 1-10 R 5,6.10 l,96mA. (^1^ Bài tập 1-12. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-11 Xác đinh các điên áp và dòng điên u„, Up , Ij3. Bài giải D,Si D.Si •— ►— ¿1— ki— 12V R- 5,6kQ Hình 1-11 Id Uo,=OV I„=I,,=I,=0A=I, —•—• u.rn 12V D. D2 r : 5,6kfí ĩT uR ra Hình 1-12 Do D| được phân cực thuận, còn Dtđược phân cực nghịch, ta vẽ lại sơ đồ tương đương của mạch với giả thiết cả hai điốt đều lý tưcmg như trênhình 1-12. Khi đó; u„ = Id.R = Ir.R = OA.R = ov Vì điốt D, ở trạng thái hở mạch nên điện áp rơi trên nó chính là điện áp nguồn E: U „,=E -I2V Nếu theo định luật Kirchoff ta cũng sẽ có kết quả như trên. E -U D, =0 u„ =E-U „,-U ^ = I2 -0 -0 = 1 2 V .D-, D, ra • 13 11. + u , – DSi E,=10VR 4,7kQ (^1^ Bài tập 1-13. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-13 Xác định các dòng điện và điện áp I, U|, Ư2, u ư ,. 0’^^ 1—VW^->— + L R, 2,2kQ E,^IO V R, I E3=-5V I + R, u. E ,Ậ : 5V Hình 1-14Hình 1-13 Qiọn điện áp ứiông cho điốt D loại Si 0,7V tavẽ lại sơ đồ trên nhưhình 1-14. Dòng điện I được tính: , ^ E . E – U „ (1 0 .5 -0 ^ ) R,+R2 (4,7+2,2)10^ Điện áp U|, Ư2tương ứng trên R|, R, sẽ là: u, =IR, =2,07.10'4,7.10^ =9,73V Ư2 =IR2 =2,07.1012,2.10^ =4,55V Điện áp ra sẽ là: u„ = Ư2 – E, = 4,55 – 5 = -0,45V Dấu trừ (-) trong kết quả biểu thị rằng cực tính của điện áp ra (U„) sẽ có Bài giải Chọn giá trị điện áp thông cho các điốt D ị, loại Si 0,7V. Sơ đồ 1-15 được vẽ lại như hình 1-16. Dòng điện I được tính R I = H ^ = ^ = i ^ = 2 8 , 1 8 m A R 0,33.10' 14 12. ra Hình 1-15 Hình 1-16 Nếu chọn Dị và D, giống nhau ta có dòng qua chúng sẽ như nhau và tính được; I =I Q g D, D, ^ ọ ’ Điện áp ra chính là điện áp thông rơi trên điốt D| và D, U„ = 0,7V Bài tập 1-15. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-17. Xác định dòng điện I chảy qua mạch. Bài giai Dưới tác động của hai nguồn điện áp E| và Eị. D| được phân cực thuận, còn Dọ được phân cực nghịch, ta vẽ ỉại sơ đồ tương đưong như hình 1-18 dưới đây: Si I R E|=20V 2,2kQ Si — N— 1 D. D, —— ——- i E,=4V + —– ►^ẠA— R 2.2kn E, -4:^0 V -^E2=4V Hình 1-17 Dòng điện I được tính: Hình 1-18 R 2,2.10' 15 13. E tl2V Bài tập 1-16. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-19. Xác định điện áp ra trên tải R. R 4rO,3V —• u. 2,2kQ ra Hình 1-20 Bài giải Vì D| và D, khác loại (D, – Si; D-, – Ge) nên khi được cấp điện áp phân cực E điốt D-, (Ge) luôn luôn thông ồ ngưỡng 0,3V, còn điốt D| sẽ luôn luôn khoá do ngưỡng thông tối thiểu của điốt loại Si là 0,7V. Sơ đồ tưong đưofng của mạch được vẽ lại như trên hình 1-20. Điện áp ra (U„) trên tải R được tính: U,, = E – u „ = 12-0,3= 11,7V. ©17 ) Bài tập 1-17. Cho mạch điện dùng điốt,như trên hình 1-21. Xác định dòng điện I„ I,, . Bài giải Chọn ngưỡng điện áp thông cho hai điốt D„ ¿2 loại Si bằng 0,7V. Dòng điện I| được tính: u . 0,7 Si H>h D. R| 3,3kQ – aXat- i I E – i 20V I,= D, R. 3,3.10 3-=0,212mA d,¥ Si h 4-AAAr Theo định luật Kirchoff về điện áp vòng ta có: 5,6kfì Hình 1-21 -U « ,+ E -U „ -U „ ,= 0 16 14. Hay Do đó: Ur =E-Uc^-Uọ^=20-0,7-0,7= 18,6V ,_ u 18,6 I=— — -^ = 3 ,3 2 m A R, 5,6.10^ Theo định luật Kirchoff về dòng điện nút ta có; =1^-I ,=3,32-0,212 = 3,108mA Bài tập 1-18. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-22 (cổng lôgic OR dương). Xác định điện áp và dòng điện ra trên tải I„, u„. Bài giải Vì D ị, Dj đều là điốt loại Si, nếu chọn ngưỡng thông cho chúng bằng 0,7V thì Dị sẽ luôn luôn thông còn Dj luôn luôn bị khoá. Mạch điện được vẽ lại như hình 1-23. (1) * – i E.=10V Si ưDI (0) E, ov D, Si ■S D, u ra + E *:riov 1 t I'- 0.7V -• *- ura ra R ^ ik n Hình 1-22 Điện áp ra sẽ là: Hỉnh 1-23 U „ = E -U d,=10-0,7=9,3V I =iÌ2-=_ẼiL=9 3mA. R 1.10^ Bài tập 1-19. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-24 (cổng lôgic AND dương). Xác định dòng điện ra (I„) và điện áp ra (U^) ưên tải R. Bài giải *• Chọn ngưỡng thông bằng 0,7V cho D| và D2, khi đó sơ đồ 1-24 được vẽ lại như hình 1-25, tương ứng với thông, còn D, tắt. 2- 250BTKTĐIỆNTỬ.A 17 15. •« •• E – i r l O V 0 , 7 V u u Ira D2 R ^ Ikn "ị^ElOV Hình 1-25 Điện áp ra chính là điện áp thông cho điốt D2 và bằng Up . Vây ta có: =0,7V. Dòng điện qua tải R cũng chính là dòng qua D2và được tính: E -U , ì= l£ l^ = 9 ,3 m A . R 1.10' Bài tập 1-20. Cho mạch chỉnh lưu dùng điốt như hình 1-26. Vẽ dạng điện áp ra ưên tải R và xác định giá ưị điện áp ra một chiều sau chỉnh lưu Ujc với điốt D lý tưởng. uV 2 D R 2kQ Hình 1-26 Bài giải b) Với mạch điện cho trên hình 1-26 điốt D sẽ dẫn điện (thông) trong nửa chu kỳ dương (+) của tín hiệu vào (từ Ơ4-T/2) còn trong nửa chu kỳ âm (-) của tín hiệu vào (từ T/2^T) điốt D sẽ bị khoá hoàn toàn. Dạng của điện áp ra trên tải được biểu diễn như trên hình l-27b, còn sơ đồ tương đưofng được biểu diễn như hình l-27a. 18 2- 250BTKTĐIỆNTỬ – B 16. + u + R S 2kQ Ude a) Hinh 1-27 b) Dien áp ra mót chiéu tren tai diídc tính: Ud, = 0,318U,„ = 0,318.20V = 6,36V 1-21. Cho mach chinh lim düng dió't nhuf trén hinh 1-28. Ve dang dién áp ra trén tai R va tính giá tri dién áp ra mót chiéu trén tái R vói dió't D thirc té'loai Si• • Uv D R 2kQ a) Hinh 1-28 Bái giái Vói dió't D thuc (khdng 1;^ tucmg) nói tróf cüa dió't khi phán cuc veri tiimg nífa chu ky cüa tín hiéu váo sé có giá trj xác láp. Khi dió't thóng nói trd cüa D rát bé con khi D khoá sé tuofng úng rát lón. Vi váy dang dién áp ra diroc biéu dién nhir trén hinh 1-29. Dién áp ra mót chiéu trén tái R duoc tính: = -0,318(U,„ – U^) = -0,318(20-0,7) = -6,14V Hinh 1-29 19 17. Như vậy so với trường hợp D lý tưcmg trong bài 1-20 điện áp ra giảm 0,22V tương đưofng 3,5%. ( 2^ Bài tập 1-22. Tính toán lặp lại bài 1-20 và 1-21 với giá trị = 200V và rút ra kết luận gì? Bài giải Đối với điốt D lý tưởng ta có: u.,, = 0,318U^ = 0,318.200V = 63,6V Đối với điốt D thực (không lý tưởng) ta có: U,, = 0,318(U™,-Uo) = 0,318 (200-0,7) = 63,38V Kết luận: Khi điện áp vào có mức lớn = 200V). Đối với trường hợp điốt thực, điện áp ra một chiều giảm 0,22V tương đương 0,3459% ít hơn 10 lần so với kết quả trong bài 1-21 khi có mức bé ( u l = 20V). (^2^ Bài 1-23. Cho mạch chỉnh lưu hai nửa chu kỳ dừig điốt như trên hình 1-30 a) Vẽ dạng sóng sau chỉnh lưu trên tải R,. b) Tính giá trị điện áp ra một chiều trên tải Uj,,. c) Tính giá trị điện áp ngược đặt lên Dị và Dj. Bài giải a) Đây là mạch chỉnh lưu hai nửa chu kỳ dùng điốt. Để dễ dàng nhận biết trạng thái làm việc của mạch ta vẽ lại sơ đồ tương đương khi các điốt 20 18. thông, khoá với từng 1/2 chu kỳ của tín hiệu vào. Ví dụ: với 1/2 chu kỳ dương của tín hiệu vào (từ O-^T/2) sơ đồ tương đương được biểu diễn trên hình 1-31. + a) b) + + R. .> ư > *'•' <2,2k<:ì : < 2.2k ỉìi c) ÌRj2.2kO t(s) d) Hình 1-31 b) Giá irị điện áp một chiểu trên tải R( sẽ là: =0,63U,„ =0,636^: ♦ U.,(V) u.. 5 __ 0 T 7 t(s) 2 e) = 0,636.5 = 3,18V Dạng điện áp ra sau chỉnh lưu đầy đủ cả hai nửachu kỳ nhưtrên hình 1-3le). c) Điện áp ngược đậl lên D|, D, đúng bằng điện áp ra cực đại u,,„„ trong từng 1/2 chu kỳ hay bằng 1/2 trị cực đại cũa điện áp vào và bằng 5V. (^2^ Bài tập 1-24. Cho mạch điện dùngđiốt nhưhình 1-32 (mạch hạn biên nối tiếp) Vẽ dạng điện áp ra trên tải R: 21 19. Bài gỉải t Ư,(V) a) Hình 1-32 b) 5V U R U Giả thiết điốt D lý tưởng, dễ dàng nhận thấy D luôn luôn thông với 1/2 chu kỳ dương (+) của điện áp vào. Mạch điện tương đương lúc này được vẽ như trên hình 1-33. Điện áp ra sẽ là: = Uy + 5V và điốt D sẽ thông cho đến thời điểm Uy giảm xuống đến -5V ở nửa chu kỳ âm. Sau khoảng thời gian đó điốt D sẽ ở trạng thái phân cực ngược, dòng qua điốt và qua tải R luôn bằng không, nên điện áp ra cũng sẽ bằng không (tương ứng với mức điện áp vào Uy < -5V. Khi U y > -5V cũng tưcnig ứng trong khoảng nửa chu kỳ âm của tín hiệu vào, tức khi Uv > -5V điốt D thông trở lại và quá trình sẽ lặp lại như phântích trên. . Dạng điện áp ra được biểu diễn như trên hình 1-34: Hinh 1-33 ' UJV) 25 ^=20V+5V=25V 5 // — 71——– J -5 2 Hình 1-34 b) ^2^ Bài tập 1-25. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-35. Vẽ dạng điện áp ra trên tải R. 22 20. 20 -10 Uv(V) ■ H Ị ^ U=5V u. u + R u t(s) ra a) Hinh 1-35 Bài giải b) Giả thiết điốt D lý tưởng.' Trong khoảng thời gian từ O-í-T/2 với Uv = 20V điốt D thông hoàn toàn, sơ đồ điện tương đương được vẽ lại như trên hình 1-36 và điện áp ra sẽ là: U,=25V ư„=OV Hình 1-36 = Uv + u = 20 + 5 = 25V Trong khoảng thời gian từ T/2 T T với Uy = -lOV điốt D luôn luôn ở trạng thái khoá, sơ đồ điện tưcfng đưcmg được vẽ lại như trên hình 1-37 và điện áp ra trên tải R lúc đó sẽ là: Hình 1-37 U^, = Ir.R = O.R = ov Dạng điện áp ra trên tải R được biểu diễn như trên hình 1-38. Bài tập 1-26. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-39 (mạch hạn biên song song). Vẽ dạng điện áp ra trên tải R,. 'U„(V) 25 T 0 r ■ t(s) 2 Hình 1-38 23 21. Bài giải Với giả thiết điốt D lý tưỏng, nó sẽ thông khi điện áp vào Uy ^ 4V, nghĩa là toàn bộ 1/2 chu kỳ âm (-) của điện áp vào và một phần của 1/2 chu kỳ {+) dương của điện áp vào vói Uv < 4V. Sơ đồ điện tương đương được vẽ lại như trên hình 1-40 và ữong khoảng thời gian đó điện áp ra luôn luôn bằng nguồn u = = 4V. R ■vw R ' • + ỈJ-. ■t4V + Hình 1-40 Trong khoảng thời gian khi Uy > 4V, điốt luôn luôn ở trạng thái khoá nên điện áp ra trên tải sẽ lớn hơn 4V và bằng điện áp vào. Sơ đồ điện tương đương được vẽ lại như hình 1-41. Dạng điện áp ra được biểu diễn như ưên hình 1-42 dưới đây. ( 27^ Bài tập 1-27. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-43. Vẽ dạng điện áp ra khi dùng điốt D loại silic với Ud = 0,7V. vị ura 4V Hình 1-41 Hình 1-42 24 22. R AÂAr D i : Si U. U-Ì-4V Ura R AA/V- b) Bài giải Với điốt thực, ngưỡng thông cho trong đầu bài Uo = 0,7V mạch điện được vẽ lại như hình 1-44. TTieo định luật Kirchoff về điện áp vòng ta có: Uv + U d – U = 0 hay Uv = U – Uo = 4 – 0,7 = 3,3V Với Uv > 3,3V điốt D luôn luôn ở trạng thái khoá nên điện áp ra sẽ đúng bằng điện áp vào (Uv). ư. U „ị'o,7V Tĩ u -iAv ™ Hình 1-44 Hình 1-45 Với điện áp vào Uv < 3,3V điốt ở trạng thái thông hoàn toàn nên điện áp ra sẽ !à: U,, = 4 – 0,7 = 3,3V Dạng điện áp ra được biểu diẻn như hình 1-45. /2^) tập 1-28. Cho mạch điện dùng điốt zener như hình 1-46 và đặc tuyến V-A của zener như trên hình 1-47. a) Xác định các giá trị điện áp Ur, u„ dòng điện Iz qua zener và công suất tiêu tán trên zener Pz- b) Lặp lại tính toán trong câu a, khi thay R, = 3kQ 25 23. R AA/V- Ikn Ư^=16V U^=10V2 Pz„,a.=30mA l,2kQ^' Hình 1-46 Bài giải a) Để thuận tiện cho việc tính toán các thông số của mạch ta vẽ lại sơ đồ tưong đương như hình 1-48. Từ hình 1-48 ta có: u R L IkQ ^ 1^16V u"" l,2kQ^' U = U, = ^ ' R+R, •R Hình 1-48 16V.1,2.10’ – = 8,73V 1.10^+1,2.10 Điện áp ư = u, đặt lên zener bằng 8,73V luôn luôn nhỏ hơn ư y = lOV nên zener luôn luôn ở trạng thái khoá và I7 = OA. Điện áp sụt trên R sẽ là: Ur=Uv-u, =16-8,73 =7,27V Công suất tiêu tán trên zener là: p^ = U2.Iz = U z.0 = 0W b) Với R, = 3kQ. Điện áp u trên sơ đồ hình 1-48 sẽ là: U = – H ^ . R , = 4 5 ^ = , 2 V R+R, ‘ 1.10’+3.10’ 26 24. Vì điện áp đặt lên zener u = 12V > Ư2 = lOV nên zener sẽ được mở thông. Sơ đồ mạch điện được vẽ lại như hình 1-49. Điện áp trên tải R, chính bằng điện áp Jj và bằng lOV I————– ————–*——————- 1 + = U. = U,. 16-10 = 6V I, =^ = „ = 3,33mA ' R. 3kQ Hình 1-49 I, u„ 6V 6mA U^=50V V R IkQ . I, = 6 – 3,33 = 2,67mA = Uz.Iz = 10V.2,67mA = 26,7mW Thấp hơn trị cực đại cho phép = 30mW. Bài tập 1-29. Cho mạch ổn áp dùng zener như hình 1-50. a) Xác định khoảng giá trị điện trở tải R, và dòng điện qua tải R, sao cho điện áp ra trên nó luôn luôn ổn định U„ = Ư2 = 10V = U,. Hình 1-50 b) Xác định công suất tiêu tán cực đại trên zener. Bài giải a) Ta biết rằng zener bắt đầu thông khi điện áp ngược đặt lên nó u >U2- (hình 1-47 hay 1-48). Khi đó điện trở tải cực tiểu R,^i„ được xác định; – Iz.ax=32mA R = – ^ u.,-u. 50-10 250Q Chú ý: Khi dòng qua zener cực tiểu (lý thuyết thì = 0), dòng qua tải tương ứng có giá trị cực đại Với điện ápổn định trên tải u, = U2thì 27 25. trong trường hợp đó giá trị R, được xác định chính là R,„j„ để điện áp ra trên tải không đổi u, = = const. Điện áp rơi trên điện trở hạn chế R sẽ là: U r = U v – U z = 50- 10 = 40V I _ U r_ 4 0 V _ ^ Và L = ^ = – ^ = 4 0 m A " R IkO Dòng điện cực tiểu trên tải sẽ là: U = lR-I,n,ax = 40-32 = 8mA Điện trở tải cực đại sẽ là: R u 10 T=1250fì=l,25kD I.min 8-10(iY)in Đồ thị biểu diễn vùng ổn áp của mạch vẽ trên hình 1-51. f U,(V) t U,(V) 250n l,25kn R, 0 a) Hinh 1-51 b) Công suất tiêu tán cực đại trên zener sẽ là; Pzmax = u , . = lOV . 32mA = 320mW b) z **Zmax. 030 ) Bài tập 1-30. Cho mạch điện dùng điốt ổn áp (zener) nhưtrên hình 1-52. Xác định khoảng biến đổi của điện áp vào để điện áp ra trên tải luôn luôn ổn định và bằng lOV = Uz- Bài giải Ta biết rằng với R, = const (cố định) điện áp thông cho zener bắt đầu từ ư > Uz đặt lên zener. Từ sơ đồ ta có; ' R+ R. ' 28 26. U,R, + U,.R = UvR, Nên R. R Vmin Thay các giá trị Uz, R, R, ta xác định được được Uvminlà: __j^a a .. _ Ì r L 220 ũ Uy=? ƯJ,=20V í ^ R. < -Jzmax=60rnA Hình 1-52 U ,„ ,= 2 0 .ítH 5 l± ^ = 2 3 ,6 7 V Dòng qua tải sẽ là , , = i = i = ^ = , 6 . 6 7 m A ' R, R, 1200 Dòng điện cực đại qua R sẽ là: Inmax“ ■^^Zmax~ 16,67 + 60 = 76,67mA Điện áp vào cực đại sẽ là: fư,(V ) 20V . Ư„(V) 23,67 36,87 Hình 1-53 Uvmax~ “ ^ •ỈR m a x Uz = 220. 76,67.10-^ + 20 = 36,87V Đồ thị biểu diễn vùng ổn ápcủa mạch được biểu diễn nhưtrênhình 1-53. 1.3. ĐỀ BÀI TẬP Bài tập 1-31. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-54. Xác định dòng điện I với điều kiện đặc tuyến V-A của điốt được tuyến tính hoá. Si 12V p. lỌỌ ÃĂ/V—► I R, a) b) Hình 1-54 c) 29 27. (^3^ Bài tập 1-32. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-55. Xác định giá trị dòng điện qua điốt Iu và điện áp ra trên tải R. -5V Si ura 2,2kQ a) Hình 1-55 b) ^3^ Bài tập 1-33. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-56. Xác định giá trị điện áp ra 20V Si Ge 2kn ura E ^ lOV R, Si ■'Wsr-ộị-f l,2kQ u R, 2kQ a) Hình 1-56 R2^4,7kQ b) ( 3^ Bài tập 1-34. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-57. Xác định giá trị điện áp ra u,;, và dòng điện qua điốt Id- D I, I C ) iH -» Si ư ra R lOmA 2,2kQ R ,< l,2kn a) Hình 1-57 R DA H a f k . D •wv—– 20V 6,8kQ b) ( ^ ) Bài tập 1-35. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-58. Xác định giá trị các điện áp u „ |, u^2. 30 28. E ' .R • – —- 1»… v w — + 12V Si 4 71^ U., R. lOV Ge Si 02$ -Ge a) Hình 1-58 l,2kn R, b) :3,3kQ Bàl tập 1-36. Cho mạch điên dùng điốt như trên hình 1-59. Xác định giá trị điện áp ra u„ và dòng điện qua điốt Id. +20V 15V Si D. ư. Si ± D, D^Ỷ Si U. Si a) Hình 1-59 R > 2,2kn E2I -5V b) Bài tập 1-37. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-60. Xác định giá trị điện áp ra và dòng điện I. EỊiov '' I E, T16V D, ị Si U. D |Ặ Si D, i Si Si I ' U. R IkD 12V a) Hinh 1-60 b) ^^3^ Bài tập 1-38. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-61. Xác định các giá trị điện áp và dòng điện I. 31 29. u r – A ^ Ikd Ỷ 0,47kQ E T 20V D2?®® raỉ I Hình 1-61 Bài tập 1-39. Oio mạch điện dùng điốt như trên hình 1-62. Xác định giá trị điện áp ra và dòng điện qua điốt Iq. 04 0 ) Bài tập 1-40. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-63. (Cổng OR lôgic âm). Xác định giá trị điện áp ra u,a. Si 04 1 ) Bài tập 1-41. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-64. (Cổng AND lôgic âm). Xác định giá trị điện áp ra u„. 32 30. Si —— l i – . ov Si -S- R Ưra ^2,2kQ HInh 1-64 (^4^ Bài tập 1-42. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-65. Xác định giá trị điện áp ra lOV Si -KJ- Si Ụ lOV Hình 1-65 ( 4^ Bài tập 1-43. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-66. Xác định giá trị điện áp ra u„. Si 04 4 ) Bài tập 1-44. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-67. Vẽ dạng điện áp ra trên tải R, và dòng điện Ir. 3- 250BTKTĐIỆNTỬ – A 33 31. ‘ U^(V) R – A A A 10 Ikn 0 -10 2 y – a) Hình 1-67 + b) (^4^ Bài tập 1-45. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-68. a) Xác định điện áp ra một chiều trên tải. b) Xác định giá trị điện áp ngược đặt lên các điốt. a) dc 046 ) Bài tập 1-46. Qio mạch điện dùng điốt như trên hình 1-69. a) Vẽ dạng điện áp ra trên tải. b) Xác định giá trị điện áp ra một chiều Ujj.. ‘ U^(V) 100 Uv 0 T / t t(s) -100 2 y – a) Hinh 1-69 b) 34 3- 250BTKTĐỊỆNTỬ.B 32. (^4^ Bài tập 1-47. Cho mạch điện dùng điốt như ừên hình 1-70. Vẽ dạng điện áp ra trên tải Rị và xác định giá trị điện áp một chiều trên tải R,(U<fc). ‘ U^(V) 170 0 t V ỵ-p t(s) -170 2 v y – R,2,2kn 2,2kQ a) Hình 1-70 b) ( 4^ Bài tập 1-48. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-71. Vẽ dạng điện áp trên tải. D R1 I —w v Uy Si 2,2kfì a) Uv Si 5V ư ra b) Hình 1-71 c) ^^4^ Bài tập 1-49. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-72 a) Xác định các giá trị Uị, I„ và Ir với Rị = 180Q. b) Lặp lại tính toán như câu a) vói R, = 470Q. c) Xác định khoảng biến đổi R( sao cho mạch vẫn luôn luôn ở trạng thái ổn áp u, = Uj. 35 33. ' r. + 220 n 20V U=10V í í R . | •— Pzrnax=400mW + u. Hình 1-72 ( 5^ Bài tập 1-50. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-73. Xác định khoảng biến đổi của điện áp vào để điện áp ra trên tải luôn ổn định U, = U, = 8V. R •——— ^A^————- – 91Q P ^ „ = u , U =8V i Pz.ax=400mW_ í ro,22ko Hình 1-73 Bài tập 1-51. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-74. Xác định giá trị điện áp ra một chiều trên tải với trị hiệu dụng điện áp xoay chiều trên thứ cấp của biến áp bằng 120V = Ui (rms). Hình 1-74 Bài tập 1-52. Cho mạch điện như hình 1-75. Biết u„= lOV R„ = 20kQ 36 34. R, = 20 kQ R, = 5 kQ Giả thiết điốt là lý tưởng, Khi thông điện trở thuận R,h = OQ Khi tắt điện trở ngược R„g = ooQ Hãy xác định điện áp trên R,. —– vw – 'J .© D R, R. Hình 1-75 Bài tập 1-53. Cho mạch điện chỉnh lưu nửa chu kỳ như hình 1-76. Nếu biết u„ = sincot; giả thiết điốt D là lý tưởng. Hãy xác định biểu thức điện áp trên R,. K AAAr D R, u, Hình 1-76 Bài tập 1-54. Cho mạch điện dùng điốt Zener như hình 1-77. BiếtU, = 8,2V, dòngl,= lA R, = lOQ. Tính điện trở bù R, để đảm bảo u ; = ư, = 8,2V khi điện áp u tha) doi 10% quanh giá trị u = 12V. R. +•- t ư ị A/W ạ R. Hình 1-77 37 35. Bài tập 1-55. Đề và sơ đồ lặp lại bài 1-77. – Xác định điện áp trên Rj. – Xác định dòng qua điốt Zener Dj. – Xác định công suất tiêu tán trên D^. Bài tập 1-56. Cho mạch điện như hình 1-78. Nếu biết điện áp một chiều là 12V, điện áp trên LED là 2V, dòng qua LED là 20mA. a) Hãy xác định điện trở hạn chế Rị. b) Nếu mắc song song 10 LED thay cho một LED trong sơ đồ. Hãy xác định điện t r ở c ầ n thiết. +> Ị Îư Hlnh 1-78 38 36. Chưong 2 TRANSISTOR LƯỠNG cực VÀ TRANSISTOR TRƯỜNG 2.1. TÓM TẮT PHẦN LÝ THUYẾT Transistor lưftig cực (BJT) gồm ba lớp bán dẫn p và N ghép xen kẽ nhau; tuỳ thuộc vào các tiếp giáp P-N mà hình thành hai loại transistor: P-N-P (transistor thuận) và N-P-N (transistor ngược) như ký hiệu trong hình 2-1. + c I B c ỉ. B – t Transistor riguợc Transistor thuận a) N-P-N b) P-N-P Hình 2-1. Ký hiệu hai loại transistor N-P-N và P-N-P Chiều của dòng điện một chiều chạy qua transistor được chỉ tronghình vẽ trùng với chiều mũi tên quy ước cực emitơ. Để làm việc ở chế độ khuếch đại, điện áp nguồn E được cấp cho cựcE- c tuỳ thuộc vào loại transistor được chỉ trong hình 2-1. Điện áp phân cực cho tiếp giáp B-E phải luôn là phân cực thuận, tức là đối với transistor N-P-N cực haza phải dương so vói cực emitơ, ngược lại, đối với transistor thuận P-N-P cực B phải âm hơn so với cực E. Trong cả hai loại transistor, các dòng điện đều có thể coi như tập trung tại một nút Ie+ Ic + Ib= 0 hay Ie= Ic + Ibvà Ig « Ig, ic 39 37. Có ba cách mắc sơ đồ cơ bản của transistor là emitơ chung (EC) bazơ chung (BC) và colecto chung (CC) căn cứ vào cực nào được lấy làm điểm chung cho cả đầu vào và đầu ra. Trong các sổ tra cứu và thuyết minh thường cho các thông số và đặc tuyến theo sơ đồ mắc EC hay BC. Đối với sơ đồ mắc BC dòng điện vào là Ig, dòng điện ra là Ic, hệ số khuếch đại dòng điện tĩnh a được xác định: a = Ì £ = _ k _ < i h I c + I b thực tế hệ số a vào khoảng (0,9 ^ 0,99). Đối với chế độ xoay chiều, khi điểm làm việc thay đổi trên đặc tuyến ra, hê số khuếch đai dòng xoay chiều a = trong đó A I e là biến thiên dòng điện emitơ còn AIc là biến thiên dòng colectơ. – Sơ đồ mắc emitơ chung (EC): dòng điện vào là dòng Ig, dòng điện ra là dông Ic- Hệ số khuếch đại dòng điện tĩnh được xác định; tuỳ thuộc vào loại transistor p có giá trị từ vài chục đến hàng trăm lần. Ic và Iblà giá trị dòng điện tại điểm làm việc tĩnh. ở chế đô xoay chiều hê số p đươc xác đinh p = . AIb Nếu biết hệ số khuếch đại a có thể xác định được hệ số p và ngược lại: a = ^ v à p = “ p + 1 " 1 – a Ngoài ra còn các tham số khác như điện trở vào, điện trở ra, hỗ dẫn… Các tham số của trahsistor cũng có thể xác định gần đúng bằng phương pháp đồ thị dựa vào đặc tuyến của transistor. 40 38. AI, Ib, Điện tri ra R„ = rcB= ^ AI, Để transistor lưỡng cực làm việc bình thường ngoài điện áp cung cấp E cho cực E và c cần một điện áp phân cực một chiều đặt vào Bazơ-Emitơ gọi là thiên áp. Điện áp này dùng để thiết lập chế độ một chiều và điểm làm việc tĩnh. Thiên áp ban đầu UggQsẽ quyết định dòng điện tĩnh, độ khuếch đại, độ méo. uB£o«(0,24-0,6)Vđối vói transistorGe UggQ»(0,54-1,0)Vđối vớitransistorSi. Có ba cách tạo thiên áp cho transistor. – Tạo thiên áp bằng dòng bazơ (hình 2.2a) TTiiên áp UggQ được xác định Suy ra điện trở R| cần thiết E -U -^BEO BO Trong đó: E là điện áp nguồn; Ug£Q là thiên áp cần tạo ra; IgQ là dòng bazơ xác định theo UggQ trên đặc tuyến vào của transistor. a) Hình 2-2. Tạo thiên áp dio transistor lưỡng cực b) 41 39. – Tạo thiên áp bằng phương pháp phân áp (hình 2-2b) Thiên áp UggQ = Ip.Ra- Suy ra D _ ^BEO trong đó Ip- dòng phân áp I R| +R2 Ipđược chọn bằng (4 ^ 10)Igo Nếu cho trước ưggo xác định được Igo trênđặc tuyến vào của transistor. Điện trở R| xác định từ biểu thức: ^BO “ E – Ip.R2 = E – UggQ E -U Suy ra R, BEO ĩ p + l B O Trong trưòmg hợp có điện trở mắc ở emitơ thì trong các công thức trên phải tính đến sụt áp một chiều trên điện trở đó. – Chế độ một chiều và đường tải một chiều. Xác định điểm làm việc tĩnh 0; khi cung cấp cho bazơ thiên áp ban đầu Ubeo. thì sẽ thiết lập dòng tĩnh và điện áp một chiều Ư^EO• Toạ độ của điểm làm việc tĩnh o (Ico’UcEo)- Điểm o cũng chính là giao điểm của đường tải một chiều với đưòng đặc tuyến ứng vói dòng Igo (hình 2-3). a) b) Hình 2-3. Đặc tuyến vào (a) và đặc tuyến ra (b) 42 40. – Đường tải một chiều là sự phụ thuộc dòng Ic vào điện áp ứng với điện trở tải một*chiều và được xác định theo biểu thức; u „ = E – Ic.R= £ Cách dựng: Cho = 0 -> I,, = — , xác đinh đươc điểm B. Cho = 0 ^ u„ = UcE = E, xác định được điểm A. Nối điểm A với B được đường tải một chiều. – Đường tải xoay chiều R_, cũng được xây dựng trên đặc tuyến ra nhưng đối với điện trở tải xoay chiều, tức là khi có tín hiệu vào, đó eũng là đường thẳng và đi qua điểm làm việc tĩnh o. Cách dựng: Từ điểm U^gQ trên trục hoành, cộng thêm một điện áp bằng I(,qR_ , được điểm A'. Kẻ đường thẳng qua hai điểm o và A', được đường tải xoay chiều. E Cũng có thể xác định dòng !(, = — được điểm B' trên trục tung, kẻ đường qua B' và o cũng nhận được đường tải xoay chiều. Trong các bài tập áp dụng, có thể sử dụng một trong hai cách trên, tuỳ từng trường hợp cụ thể. – Transistor trường (FET) là loại transistor được chế tạo dựa vào hiệu ứng trường, đó là điều khiển độ dẫn điện của bán dẫn loại N hay p, nhờ một điện trường bên ngoài. Có hai loại FET – đó là J-FET (điều khiển bằng tiếp xúc P-N) và MOSPET là loại FET có cực cửa cách ly bằng lớp ôxit. Hình 2-4 là ký hiệu JFET kênh N và kênh p. G D D a) J-FET kênh N b) J-FET kênh p Hình 2-4. J-FET kênh N và kênh p 43 41. s -làcực nguồn D – cực máng G – cực cửa. Vì phân cực cho cực cửa của J-FET luôn là phân cực ngược nên điện trở vào rất lớn và dòng điện ly = Iq = 0; Iß = Ij. Dòng Iịj được điều khiển bằng điện áp đặt vào cực cửa Uqs và được xác định bằng biểu thức: uOSK trong đó U gs là điện áp bất kỳ đặt vào G-S; Ugsklà điện áp khoá ứng với dòng Iq= 0. Quan hệ giữa Ijj và Uqs được diễn tả bằng đặc tuyến truyền đạt còn quan hệ Iq = f(ƯDs) với các trị số Uqs khác nhau được gọi là họ đặc tuyến ra. Đây là hai đặc tuyên đặc trimg cho FET, căn cứ vào đó, có thể xác định gần đúng các thông số của FET- b) Hình 2-5. Đặc tuyến truyền đạt (a) và đặc tuyến ra (b) của J-FET kênh N Hỗ dẫn của FET: g„ = hay mS (milisimen) chi’ rõ khi điên AUqs V áp đặt vào cực cửa thay đổi IV thì dòng Iß thay đổi bao nhiêu mA. MOSFET gồm hai loại: MOSFET kênh đặt sẵn và MOSFET kênh cảm ứng. – MOSFET kênh đặt sẵn; kênh dẫn điện loại N hay p hình thành ngay từ khi chế tạo. Đặc tuyến truyền đạt và đặc tuyện ra chỉ dẫn trong hình 2-6a, b. 44 42. b) Hình 2-6. Đặc tuyến truyền đạt (a) và đặc tuyến ra (b) của MOSFET kênh N đặt sẵn Căn cứ vào đặc tuyến truyền đạt và đặc tuyến ra có thể xác định gần đúng các thông số của MOSFET. – MOSFET kênh cảm ứng: chỉ khi đặt vào cực cửa điện áp ngoài (kênh N là điện áp dương), thì kênh dẫn điện mới hình thành và mói có dòng điện chạy qua (hình 2-7). Phân cực cho FET. Có hai phương pháp phân cực (tạo thiên áp) phổ biến cho FET: tạo thiên áp tự cấp và dùng phân áp. b) Hình 2-7. Đặc tuyến truyền đạt (a) và đặc tuyến ra (b) của MOSFET kênh cảm úhg N Phưcmg pháp tự cấp sử dụng ngay dòng ĩj) chạy qua Rs tạo sụt áp và dẫn qua điện trở Rq đặt vào cực cửa G (hình 2-8a). 45 43. Vì 1(3=0; Ip=Ijnên Urs=Id-Rs=Uqs;cực(+) đặtvàocựcs vàcực(-) đặtvàocựcG. Rị – gọi là điện trở tạo thiên áp. Rq- là điện trở dẫn thiên áp; Ro có trị số lớn hàng chục hoặc trăm kQ. R , = – ^ Hình 2-8. Tạo thiên áp cho J-FET Hình 2-8b là sơ đổ tạo thiên áp bằng phương pháp phân áp. Điện áp trên cực cửa ƯQđược xác định ƯG=— ~— Ra R.+Ra Uo là điện áp cực G so với đất. U gs = U o – U 3 = ư g – I oR s Mạch phân áp cho MOSFET kênh N đặt sẵn cũng tương tự như hình 2- 8b. Riêng đối với MOSFET kênh cảm ứng, việc tạo thiên áp có khác với J- FET, nó được tạo thiên áp giống như vói transistor lưỡng cực N-P-N: có thể dùng phương pháp hồi tiếp từ cực D về cực G hay dùng phưcmg pháp phân áp (hình 2-9a, b). Trongsơđồ 2-9aƯDS = U gs (vì dòng l o = 0, quaRokhông có dòng chạy qua) UdS“ E – Iq-Rq Suy ra Uq5= E – Iq.R0. Trong sơ đồ 2-9b, điện áp cực cửa so với đất. 46 44. +E RD u i- a) Hình 2-9. Tạo thiên áp cho MOSFET kênh cảm ứng N b) U g = R| +R2 •R ^GS ~ ^D'^s ~ E R, + R2 Điện áp Uds = E = = E – Id(Rs + Rd) 2.2. PHẦN BÀI TẬP CÓ LỜI GIẢI ( 5^ Bài tập 2-1. Một transistor N-P-N mắc theo sơ đồ BC có dòng điện L = Ig = 50mA; dòng điện Ic = 45mA. a) Xác định hệ số khuếch đại dòng một chiều a. b) Nếu mắc transistor theo sơ đồ emitơ chung (EC), hãy tính hệ số p. Bài giải a) Hệ số khuếch đại dòng một chiều a I 49 a = -^ = — = 0,98 Ie 50 b) Hệ số p tính theo a ẹ>= — = …………= 49 1 -a 1-0,98 (^5^ Bàl tập 2-2. Một transistor có dòng tĩnh emitơ Ig = l,602mA; dòng tĩnh bazơ Ig = 0,016mA; bỏ qua dòng điện ngược. 47 45. a) Xác định dòng tĩnh colectơ Ic- b) Tính hệ số khuếch đại p, a. Bài giải Tính dòng tĩnh colectơ Ic = Ig – Ig = r,602 – 0,016 = l,586mA Hê số khuếch đai a = — = ^ = — — = 0,99 Ie Ie 1,602 Hệ số khuếch đại p lẹ _ Iẹ- I b _ 1,602-0,016 I, IB 0^016 Cũng có thể xác định p theo công thức: a 0,99 99,125 1 -a 1-0,99 = 99 59) Bài tập 2-3. Biết đặc tuyến vào và đặc tuyến ra của transistor mắc theo sơ đồ emitơ chung EC như hình 2-10. Bằng phương pháp đồ thị hãy xác định: a) Hệ số khuếch đại p tại điểm làm việc A. b) Điện trở vào = ĨBE- c) Hệ số khuếch đại a nếu mắc theo sơ đồ bazơ chung BC. d) Nếu tín hiệu vào Igthay đổi, xác định hệ số khuếch đại dòng xoay chiều. -ụm A ) 40 Ig=0,4iĩiA Ig=03mA i . . l3=0,2mA ĩp=0,lmA 0,2 0,4 0,50,6 0,8 Ugg(V) ưce(V) a) b) Hình 2-10. Đặc tuyến vào (a) và ra (b) của transistor 48 46. Bài giải a) Hệ số khuếch đại tĩnh tại điểm A. p = Ị ^ = “ : l ° Ị = 100 BO 0,2.10 -3 1..^ 0,70-0,5 0,65 ^ b) Điên trở vào Rv = r,^= —- SS- = — — — , = — = 3,25kQ AL (0,3-0,1)10-' 0,2.10“' _BE _ B c) Nếu mắc theo sơ đồ bazơ chung BC hệ số khuếch đại tĩnh a được xác định a = i = ^ = 0,989 1+ p 100+ 1 d) Khi dòng điện vào Ig thay đổi từ 0,1 đến 0,3mA, tìm biến thiên dòng Ic tương ứng trên đặc tuyếh ra, tính được hệ số khuếch đại p xoay chiều. / 6 _ Aĩc _ (2 8 ,5 -9 ,8 )1 0 -^ A L (0 ,3 -0 ,1 )1 0 ' = 93,5 (^6^ Bài 2-4. Cho mạch khuếch đại dùng transistor như hình 2-11 Biết; Rc = 5kQ p = 5 0 điện trở vào Ry = ĩgE= IkO điện áp vào Uy = UgE= 0,1V a) Xác định dòng điện vào và dòng điện ra. b)Tmhhệ số khuếchđạiđiện ápcủatransistor. Bài giải a) Dòng điện vào 0,1 Hình 2-11 = 10"" =0,lm A Dòng điện ra: I^^= I^= pỈ3 = 50.0,1 =5mA 4- 250BTKTĐIỆNTỬ – A 49 47. Điện áp ra: U , = = Ic-Rc = 5.10^5.10^ = 25V b) Hệ số khuếch đại điện áp . 0,1 Bài tập 2-5. Đặc tuyến vào và ra của transistor có dạng như hình 2-12. a) Hãy xác định hỗ dẫn của transistor tại điểm làm việc o. b) Nếu biết điện áp ƯBE thay đổi 0,2mV, điện trở Rc = 4kQ. Hãy xác định điện áp ra. c) Tính hệ sô' khuếch đại điện áp. 1^=4,2 7 0,8 U„,(V) Ic(mA) 50^iA 40|J.A U=3,Q. 30^A 20|aA I„=10HA U c e ( V ) a) Hình 2-12. Đặc tuyến vào (a) và đặc tuyến ra (b) của transistor b) Bài giải a) Hỗ dẫn của transistor được xác định bằng phương pháp đồ thị s = _éíc_ AUbb ’ V s =A 2 Í L – =<iÌ2M )EĨ , Í I Ẹ Ĩ =,2Í^ hay12ms – u „ , 0,7-0,60,1 V b) Nếu AUgg = 0,2V thì dòng Ic biến thiên AIc = AUBg.s = 0,2.12 = 2,4mA Điện áp ra u„ = AIc-Rc = 2,4.10 4 .10' = 9,6V 50 4- 250BTKTĐ1ỆNTỬ – B 48. c) Hệ số khuếch đại điện áp K „ = H ^ = M = 48 “ u, 0,2 (^6^ Bài tập 2-6. Transistor lưỡng cực có đặc tuyến vào và ra mắc theo sơ đồ EC như hình 2-13. Căn cứ vào đặc tuyến hãy xác định gần đúng các thông sô' sau: a) Điện trở vào tĩnh tại điểm o. b) Điện trở vào động. c) Hệ số khuếch đại dòng điện một chiều p. d) Hệ số khuếch đại dòng xoay chiều. 250 200 50 BE(V) – I b(^A ) 40 ‘ ỈẶm A) 250fxA / 30 25, 200nA ISOuA ỹ f ! ! … 15. , L . _ _ iüQ üA . ———► 5 ’ / I«=50jiA lò U^V) a) b) Hình 2-13. Đặc tuyến vào (a) và ra (b) của transistor luỡng cực Bài giải a) Điện trở vào tĩnh R = r , =4kQ '' Igo 150.10-® b) Điện trở vào động Rvd o _ – U be, _ 0 ,6 8 -0 ,5 2 ^ V đ “ a t ^ T T AI B Ib, – I b. (200- 100)10 = l,6k Q c) Hệ số khuếch đại dòng một chiều p 51 49. ~6 I» I50.10-* d) Hệ số khuếch đại dòng xoay chiều p_ AI3 AIb= I3 -Ib_ =(200-100)10-^ = 100.10 Tìm AIc tương ứng trên đặc tuyến ra I„ =30mA; = 15mA AIc = (30-15).10l (200-100)10-" (6 ^ Bài tập 2-7. Oio mạch điện như hình 2-14. Nếu biết dòng Ico = 5mA; hệ số p = 100; 5V; thiên áp Ubeo= 0,6V; E = lOV. a) Vẽ các dòng điện một chiều chạy trong mạch. b) Tính điện trở Re c) Điện áp Uc so với đất. Bài giải a) Dòng điện một chiều chạy trong mạch như chỉ đẫn trong hình 2-14. Ie = Ic + Ib b) Điện trở tạo thiên áp R| được xác định. Hình 2-14 R, E – U ^ E -U ^ o 10-0,6 9,4 Ibo ^co ^ ^q-3 5.10 * p 100 188ka c) Tính điện trở R, 52 50. I „ I „ 5.10-’ d) Điện áp Uc so vái điểm mass chính là điện áp UçgQ U c= U ,,o = 5V

Viết một bình luận